GDDR6W: Doppeldecker mit doppeltem Speicher

Samsung lanciert mit GDDR6W eine neue Generation von RAM für Grafikkarten. Die GDDR6W-Chips basieren auf GDDR6 und setzen auf eine neue Bauweise: Zwei Lagen von Speicher werden übereinandergeschichtet. Auf diese Weise ergibt sich auf gleicher Fläche die doppelte Speicherkapazität im Vergleich zu bisherigen GRRD6-Modulen. Da die Speicherelemente direkt auf dem Wafer zu liegen kommen und damit keine interne Platine benötigen, reduziert sich auch die Höhe der Bausteine gegenüber GDDR6 um satte 36 Prozent auf 0,7 mm. Samsung nennt das Ganze "Fan-Out Wafer-Level Packaging Technology" (FOWLP)

Samsungs bisherige GDDR6-Module kommen mit einer Kapazität von 2 Gigabyte, ein GDDR6W-Modul bietet somit 4 GB Speicherplatz und nimmt auf der Platine weniger Fläche ein als zwei 2-GB-Module. Gleichzeitig verdoppelt sich die Anzahl der I/Os von 32 auf 64. Laut Samsung bildet GDDR6W "eine Brücke zwischen Welten" (gemeint sind herkömmliches GDDR und High Bandwidth Memory, kurz HBM, mit seinen bis zu acht und mehr übereinanderliegenden Lagen) und eignet sich besonders für "immersive Metaverse-Erfahrungen".


Während HBM2E auf Systemlevel eine Bandbreite von 1,6 TB/s bei 4096 Systemlevel-I/O und eine Übertragungsrate von 3,2 Gigabit pro Sekunde pro Pin bietet, wartet GDDR6W gemäss Samsungs Angaben mit 1,4 TB/s bei 512 Systemlevel I/O und 22 Gbit/s pro Pin auf. Samsung hat den Standard im Rahmen der Normierungsorganisation JEDEC im zweiten Quartal 2022 etabliert und will zusammen mit Partnern den Anwendungsbereich für GDDR6-Bausteine auf Geräte mit kleinem Formfaktor wie Notebooks sowie Beschleuniger für KI- und HPC-Anwendungen erweitern. (ubi)