Quelle: Micron
Micron präsentiert erste DDR5‑Speichermodule mit 512 GB
Micron hat neue DDR5-RDIMM-Module gezeigt, die ein Datenvolumen von 512 GB und Geschwindigkeiten von 9200 MT/s unterstützen.
19. September 2026
Speicherchip-Spezialist Micron hat diese Woche neue DDR5-Module vorgestellt, die eine Kapazität von 512 GB und eine Geschwindigkeit von 9200 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) unterstützen. Aktuell würden sowohl AMD als auch Intel die neuen Module validieren, hält Micron in einer Mitteilung fest.
Bei den neuen Modulen werden DRAM-Chips vertikal übereinander gestapelt und über sogenannte Through-Silicon-Vias miteinander verbunden. Durch die hohe Speicherkapazität lassen sich in einem Dual-Socket-Server mit 24 Steckplätzen bis zu 12 TB DDR5-DRAM unterbringen. Ein entsprechend ausgestatteter Server unterstützt bei unveränderter Grösse umfangreichere KI- und Datenbank-Workloads, eine höhere Virtualisierungsdichte wie auch eine verbesserte Energieeffizienz.
Micron rechnet damit, mit den neuen 512-GB-RDIMMs in der zweiten Hälfte kommenden Jahres in die Massenproduktion gehen zu können. (rd)
Bei den neuen Modulen werden DRAM-Chips vertikal übereinander gestapelt und über sogenannte Through-Silicon-Vias miteinander verbunden. Durch die hohe Speicherkapazität lassen sich in einem Dual-Socket-Server mit 24 Steckplätzen bis zu 12 TB DDR5-DRAM unterbringen. Ein entsprechend ausgestatteter Server unterstützt bei unveränderter Grösse umfangreichere KI- und Datenbank-Workloads, eine höhere Virtualisierungsdichte wie auch eine verbesserte Energieeffizienz.
Micron rechnet damit, mit den neuen 512-GB-RDIMMs in der zweiten Hälfte kommenden Jahres in die Massenproduktion gehen zu können. (rd)
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