Intel sieht PDAs mit 500-MB-Speicher am Horizont

Intel ist auf der Suche nach günstigen, hochkapazitären Speichertechnologien für Mobilgeräte offenbar fündig geworden. Gleich drei vielversprechende Verfahren haben das Potential, die Speicherkapazitäten der Handhelds, PDAs und Mobiltelefone in neue Dimensionen zu bringen. Erstens: PFRAM (Polymer Ferroelectric RAM), ein Polymer- bzw. Plastik-Speicher. Zweitens: OUM (Ovonics Unified Memory), ein Speichermaterial ähnlich den wiederbeschreibbaren CDs. Und schliesslich drittens: MRAM (Magnetic RAM), ein Verfahren, das die Daten magnetisch wie bei einer Hard- oder Floppydisk abspeichert. Gegenwärtig kommen in den mobilen Devices vor allem Flash-Memory und DRAM zum Einsatz. Von den drei Technologien, an denen Intel zur Zeit forscht, bietet OUM die grössten Vorteile: Die Herstellung ist günstig, und die Speicher lassen sich auch gut mit weiteren Storage-Technologien kombinieren. MRAM und PFRAM sind teurer, bieten dafür aber schnelleren Zugriff. Intel hofft, bis Ende 2003 erste OUM-Speicher auf den Markt bringen zu können.