NAND-Flash-Speicher mit 40-Nanometer-Technologie
Neue Fertigungstechnik ermöglicht höhere Speicherkapazitäten.
11. September 2006
Marktführer Samsung hat einen NAND-Flash-Prototypen mit einer Kapazität von 32 GBit (4 GByte) vorgestellt. Der Chip wird in 40-Nanometer-Technik gefertigt und könnte bereits 2008 in Serienproduktion gehen. Damit sollen Flashkarten mit bis zu 64 GByte Kapazität ermöglicht werden.
Die hohe Speicherkapazität von 32 GBit erreicht Samsung mit der neu entwickelten "Charge Trap Flash"-Architektur (CTF). Dabei werden die Ladungen in sogenannten Ladungsfallen gespeichert, was Fehler durch zufällig fehlgeleitete Elektronen verhindern soll. Mit dieser Technologie sollen dereinst auch 30- und 20-Nanometer-Strukturen möglich werden.
Die hohe Speicherkapazität von 32 GBit erreicht Samsung mit der neu entwickelten "Charge Trap Flash"-Architektur (CTF). Dabei werden die Ladungen in sogenannten Ladungsfallen gespeichert, was Fehler durch zufällig fehlgeleitete Elektronen verhindern soll. Mit dieser Technologie sollen dereinst auch 30- und 20-Nanometer-Strukturen möglich werden.
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