Samsung hat den ersten Prototypen seines PRAM (Phase-change Random Access Memory) mit 512 MBit Kapazität vorgestellt. Der neue Speichertyp soll deutlich besser skalierbar sein als jede andere Speichertechnologie. Ausserdem würde PRAM die Vorteile von normalem RAM und Flash-Speicher unter einen Hut bringen und so einen besonders schnellen, nichtflüchtigen Speicher ermöglichen.
Samsung spricht bezüglich der Perfomance von bis zu 30-mal höherer Geschwindigkeit als normaler Flash-Speicher. Dazu komme noch eine um zehnmal längere Lebensdauer von PRAM gegenüber herkömmlichem Flashspeicher, eine einfachere Herstellung und eine kleinere Chip-Fläche – weshalb Samsung PRAM auch das "perfekte RAM" nennt.
Samsung will PRAM bereits 2008 als Alternative zum heutigen NOR-Flash-Speicher einführen. Bis in zehn Jahren soll PRAM die NOR-Technologie komplett ablösen. PRAM soll vor allem in mobilen Endgeräten, insbesondere auch in Handys zum Einsatz kommen.