Samsung: Nächste Flash-Speicher-Generation

Samsung hat verlauten lassen, Muster des 16-Gbit-NAND-Flash-Speichers ausgeliefert zu haben. Die neue Speichergeneration, die mit 50 Nanometer Strukturbreite gefertigt wird, soll noch im ersten Quartal in Serie gehen. Die Speicher sind mit einer neuartigen logischen Organisation ausgestattet, was die Datendichte erhöhen und die Leistung steigern soll. Die Rede ist von einer verdoppelten Lese- und von einer um 50 Prozent höheren Schreibgeschwindigkeit. Über die erreichten Speicherkapazitäten auf einem Baustein sind noch keine Details bekannt, man geht jedoch von bis zu 64 GB aus. Damit wären die Bausteine prädestiniert für den Einsatz als Harddisk-Ersatz. (mw)