Schnelle SSD von Samsung

Samsung hat in seinem neuesten Solid State Drive (SSD) erstmals die eigenen 32-Gbit-NAND-Flash-Chips verbaut, die im 30-Nanometer-Verfahren gefertigt wurden. Das SSD soll dadurch Lesegeschwindigkeiten von bis zu 250 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 220 MB/s ermöglichen, in Verbindung mit einem 3-Gbit/s-SATA-Interface. Die Speicherkapazität gibt Samsung mit bis zu 512 GB an. Trotz der höheren Geschwindigkeit soll das SSD nicht mehr Strom verbrauchen als 256-MB-SSDs mit 16-Gbit-Chips in 40-nm-Strukturbreite. Zu verdanken ist dies der Toggle-Mode-DDR-Struktur der NAND-Chips. Des weiteren beherrscht das neue SSD 256-Bit-AES-Verschlüsselung und das TRIM-Kommando von Windows 7, das eine kontinuierlich hohe Leistungsbereitschaft eines Solid State Drive garantiert.

Im Juli soll die Massenproduktion gestartet werden. Die SSD soll in Modellen mit Kapazitäten zwischen 64 und 512 GB lanciert werden. Angaben zu den Preisen macht Samsung noch keine.