Numonyx und Intel entwickeln neue Speichertechnologie
Den Forschern von Numonyx und Intel ist es gelungen, in einem gemeinsamen Forschungsprojekt eine vertikal integrierte Speicherzelle zu entwickeln.
4. November 2009
Dank einem gemeinsamen Forschungsprogramm ist es Numonyx und Intel gelungen, eine vertikal integrierte Speicherzelle zu produzieren. Mehrere Schichten von Phasenwechselspeicher-Arrays (Phase Change Memory PCM) können dabei in einem einzigen Chip aufeinander gestapelt werden. Dies soll in High-Speed-Speicher mit grösserer Kapazität, geringerem Stromverbrauch und optimaler Platzersparnis für RAM- und Storage-Anwendungen resultieren. Wie Intel in einer Medienmitteilung schreibt, soll die neue Technologie eine Reset-Geschwindigkeit von neun Nanosekunden und eine durchschnittliche Lebensdauer von einer Million Schreibzyklen aufweisen.
(tsi)
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