Samsung kündigt neuen DDR5-Arbeitsspeicher an

Samsung hat einen neuen und ersten in der 12-Nanometer-Technologie hergestellten DDR5-Speicherchip in Entwicklung. Dieser soll bereits 2023 in die Massenproduktion gehen und Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde erreichen. Gleichzeitig verbraucht der neue 16-Gigabit-DDR5-DRAM im Vergleich zu bisherigem DRAM angeblich bis zu 23 Prozent weniger Strom. Möglich machen diese Steigerungen laut Samsung neben einer hohen Dichte unter anderem der Einsatz eines neuen High-K-Materials, das die Zellkapazität erhöht, sowie eine neue Designtechnologie, die kritische Schaltkreiseigenschaften verbessern soll.


"Wir erwarten, dass unser neuer DRAM mit seiner aussergewöhnlichen Leistung und Energieeffizienz die Grundlage für einen nachhaltigeren Betrieb in Bereichen wie der nächsten Generation von Computern, Rechenzentren und KI-gesteuerten Systemen bilden wird", meint Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product & Technology bei Samsung Electronics. Für die Einführung der neuen DDR5-Speicherchips arbeitet das Unternehmen mit AMD zusammen, für dessen Zen-Plattform die Produkte bereits optimiert und validiert wurden. (mv)