Samsung startet Massenproduktion von 18-Nanometer-DDR4-DRAM
Samsung startet Massenproduktion von 18-Nanometer-DDR4-DRAM
(Quelle: Samsung)
6. April 2016 -
Samsung hat die Massenfertigung von 8-GBit-DDR4-DRAM der 10-Nanometer-Klasse gestartet. Mit der aktuellen DDR4-DRAM-Produktion will das koreanische Unternehmen auch mobile 8-GBit-DRAM-Chips der 10-Nanometer-Klasse fertigen.
Samsung hat bekanntgegeben, dass die Massenfertigung von 8-GBit-DDR4-DRAM der 10-Nanometer-Klasse und darauf basierender Module gestartet ist. Gemäss Mitteilung erreicht der neue DRAM-Speicher Datentransferraten von bis zu 3200 MBit/s und ist somit rund 30 Prozent schneller als die DDR4-DRAM-Speicher mit 2400 Mbit/s.
Darüber hinaus sollen die auf den Speicherchips verbauten Module bis zu 20 Prozent weniger Strom verbrauchen, was sich wiederum auf die Effizienz von High-Performance-Computing- und Unternehmenssystemen auswirken dürfte. Samsung plant, dass die neuen Elemente in PCs und Mainstream-Servern zum Einsatz kommen. Mit Hilfe der aktuellen DDR4-DRAM-Produktion will Samsung auch mobile 8-GBit-DRAM-Chips der 10-Nanometer-Klasse auf den Markt bringen. (asp)
Darüber hinaus sollen die auf den Speicherchips verbauten Module bis zu 20 Prozent weniger Strom verbrauchen, was sich wiederum auf die Effizienz von High-Performance-Computing- und Unternehmenssystemen auswirken dürfte. Samsung plant, dass die neuen Elemente in PCs und Mainstream-Servern zum Einsatz kommen. Mit Hilfe der aktuellen DDR4-DRAM-Produktion will Samsung auch mobile 8-GBit-DRAM-Chips der 10-Nanometer-Klasse auf den Markt bringen. (asp)
(Quelle: Samsung)
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