IBM: Transistor-Entwicklung für mehr Speed

Diese Woche wird erwartet, dass IBM eine neue Transistoren-Entwicklung am International Electron Devices Meeting in Washington D.C. vorstellt. Die Entwicklung wurde auf den Namen Double Gate Transistor getauft. Die neuartigen Transistoren - mikroskopisch kleine On- und Off-Switches in einem Chip - sollen den elektronischen Fluss verdoppeln. Alternativ kann auch die Menge der Elektrizität, die durch ein Gate fliesst, halbiert werden, was die Möglichkeit eröffnet, ein flexibleres Power-Management zu realisieren. Mit Double-Gate-Transistoren sollen so Chips mit einer aussergewöhnlich hohen Performance oder mit extrem tiefem Stromverbrauch realisiert werden können. Erste Muster der Transistoren wurden bei IBM offenbar bereits hergestellt, trotzdem sollen erste Chips mit der neuen Technologie erst 2006 erscheinen. (mw)