MRAMs werden schnell

26. August 2005

     

MRAM-Speicherchips (Magnetic Random Access Memory) behalten zwar ihre Daten auch dann, wenn der Strom ausgeschaltet ist – allerdings sind sie um einiges langsamer als ihre flüchtigen DRAM- und SDRAM-Pendants. Diesen Missstand wollen nun Hans Werner Schumacher und sein Forscherteam an der Physikalischen-Technischen Bundesanstalt in Braunschweig aus der Welt geräumt haben. Mit Hilfe ihrer sogenannten ballistischen Methode sollen auf MRAM gespeicherte Bits gezielt und schnell angesteuert werden können.




Artikel kommentieren
Kommentare werden vor der Freischaltung durch die Redaktion geprüft.

Anti-Spam-Frage: Was für Schuhe trug der gestiefelte Kater?
GOLD SPONSOREN
SPONSOREN & PARTNER