Weder Intel noch AMD sind darum verlegen, wenn es darum geht, mit markigen Sprüchen neue Prozessoren anzupreisen. So verspricht AMD für den nächsten Opteron «Barcelona» (Ende
2. Quartal) 40 Prozent Geschwindigkeitsvorteil zu Intels aktuellen Xeons («Clovertown») und 80 Prozent im Vergleich zu den aktuellen Opterons. Der Prozessor verdankt seine höhere Performance vor allem der Verdoppelung der Floating Point Units, die
128 Bit breite Daten und Instruktionen verarbeiten können, sowie 2 Megabyte L3-Cache. Zudem wurde die Virtualisierungsfunktion AMD-V beschleunigt und auch Intels SSE4-Befehlssatz integriert, den Intel mit «Penryn» erst gegen Ende 2007 einführen will. Verzichtet wurde dagegen auf Unterstützung für FB-DIMM.
Intel verspricht für die nächste Xeon-Generation «Penryn» nicht weniger als eine Transistor-Revolution. So soll beim Umstieg von 65- auf 45-Nanometer-Fertigungstechnologie zum ersten Mal seit den 60er-Jahren neue Materialien für Transistoren verwendet werden. Das High-k-Dielektrikum Hafnium soll als Isolator am Boden von Transistoren zum Einsatz kommen, wo bisher eine Siliziumdioxid-Isolatorschicht verwendet wird. Bei den Elektroden der Transistor-Gates wird auf ein nicht näher spezifiziertes Metall gesetzt statt Polysilizium. Beide Änderungen sollen kürzere Schaltzeiten und tiefere Leckströme ermöglichen. Ein ähnliches Verfahren hat auch IBM zusammen mit AMD, Sony und Toshiba ausgetüftelt, dürfte die Prozessor-Produktion damit aber erst 2008 beginnen.
