Durchbruch in der Halbleiter-Forschung
Motorola ist ein wichtiger Durchbruch bei der Entwicklung von Halbleiter-Materialien gelungen.
4. September 2001
Einem Forschungsteam von Motorola ist es gelungen, Gallium-Arsenid-Transistoren in einer schmalen Gallium-Arsenid-Schicht zu entwickeln, die auf einem Silizium-Wafer wächst. Die Entdeckung kann als Durchbruch bei der Entwicklung von Halbleiter-Materialien gewertet werden und neue Chipgenerationen mit kombinierten Silizium- und lichtemittierenden Transistoren ermöglichen.
Da das Halbleiter-Material und die Strukturen von Silizium nicht zueinander passen, war eine Verbindung der Materialien bisher fast nicht möglich. Die Forscher von Motorola haben eine Materialverbindung gefunden, die sich mit Silizium und Gallium-Arsenid bindet. Nun suchen die Forscher nach einer Verbindungsschicht für Indium-Phosphid und andere Materialen. Durch die Verbindung von Silizium mit Indium-Phosphid sollen Prozessoren mit Taktfrequenzen von über 70 GHz ermöglicht werden.
Da das Halbleiter-Material und die Strukturen von Silizium nicht zueinander passen, war eine Verbindung der Materialien bisher fast nicht möglich. Die Forscher von Motorola haben eine Materialverbindung gefunden, die sich mit Silizium und Gallium-Arsenid bindet. Nun suchen die Forscher nach einer Verbindungsschicht für Indium-Phosphid und andere Materialen. Durch die Verbindung von Silizium mit Indium-Phosphid sollen Prozessoren mit Taktfrequenzen von über 70 GHz ermöglicht werden.
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