Samsung speichert mehr und schneller
Samsung speichert mehr und schneller
29. Juni 2006 -
Die Koreaner fertigen ihren neuen 2-GB-Flash-Speicherchip im 60-Nanometer-Verfahren.
Samsung hat seine Onenand-Chipfamilie um einen 2-GB-Flash-Speicher erweitert. Der Halbleiter wird im 60-Nanometer-Prozess gefertigt und bietet so eine erhöhte Herstellungseffizienz. Im Vergleich zu den gegenwärtigen 1-GB-Speichern wird die Schreibgeschwindigkeit von 9,3 MB pro Sekunde auf 17 MB pro Sekunde hochgeschraubt. Sie soll sich auf 136 MB pro Sekunde steigern lassen, wenn acht 2GB-Chips zu einem System zusammengeschaltet werden. Der Speicher ist für den Einsatz in Multimedia-Handys, Digitalkameras, PCs und digitalen TV-Geräten konzipiert.