Germanium als Transistoren-Turbo

IBMs Halbleiterforschung hat einen Weg gefunden, die Transistorleistung um den Faktor 3 zu steigern. Erreicht wird dies, indem eine Schicht gestrecktes Germanium in den Transistorbereich eingefügt wird, durch den der Strom fliesst. Dass Germanium Strom besser leitet als Silizium, ist schon länger bekannt. Es wird heute in der Chipfertigung mit Silizium gemischt und unter anderem zum Strecken von darüberliegenden Siliziumschichten verwendet, damit durch diese mehr Elektronen fliessen können. IBM hat nun einen Weg gefunden, reines Germanium zu strecken. So kann dieses mit konventioneller Siliziumtechnik auf einem Chip kombiniert werden, was für die höhere Leistung sorgt. Diese soll unter anderem dabei helfen, die immer schwieriger zu beherrschenden Leckströme bei Strukturbreiten unter 90 Nanometer in den Griff zu bekommen.