Phase Change Memory: Superspeicher
Artikel erschienen in Swiss IT Magazine 2011/07
Artikel erschienen in Swiss IT Magazine 2011/07
Im Frühling 2005 haben Chip-Hersteller Infineon und IBM eine Forschungsinitiative zur Entwicklung der Speichertechnologie Phase Change Memory (PCM) ins Leben gerufen. PCM-Speicher wird zugetraut, innerhalb der nächsten fünf Jahre die Speicherlandschaft zu verändern, ja sogar zu revolutionieren. Die Gründe: Die erzielbare Schreib- und Lesegeschwindigkeit ist gemäss IBM aktuell rund 100 Mal höher als bei aktuellen Flash-Speichern, bei einer gleichzeitig hohen Speicherdichte. Zudem soll PCM eine sehr hohe Langlebigkeit von bis zu 10 Millionen Schreibzyklen ermöglichen (Flash: 30’000).
Nun ist Forschern bei IBM Research in Zürich ein Durchbruch in der Forschung gelungen: Angeblich konnten sie auf einem im 90-Nanometer-Verfahren gefertigten PCM-Chip erstmals nicht nur einzelne Bits, sondern gleich mehrere Bits pro Speicherzelle zuverlässig und über lange Zeiträume speichern und das Drift-Problem lösen, das bis heute eine der Hauptschwierigkeiten bei der Umsetzung von Multi-Bit-PCM-Technologien darstellt. Dazu haben die Forscher iterative Schreibverfahren zur Kompensation der Variabilität der einzelnen Speicherzellen sowie Modulationscodierungs-Techniken entwickelt, welche es ermöglicht hätten, beim Auslesen «extrem tiefe Fehlerraten» zu erzielen, wie sie für den Einsatz in Unternehmen gefordert werden.
Das PCM-Forschungsprojekt, an dem übrigens seit kurzem im von IBM zusammen mit der ETH Zürich Anfang Juni neu eröffneten Binnig and Rohrer Nanotechnology Center gearbeitet wird, ist damit aber natürlich noch nicht abgeschlossen und soll weiter gehen. Die Marktreife erreichen soll PCM-Speicher wie bereits erwähnt in den kommenden fünf Jahren, also bis 2016. (mv)
Nun ist Forschern bei IBM Research in Zürich ein Durchbruch in der Forschung gelungen: Angeblich konnten sie auf einem im 90-Nanometer-Verfahren gefertigten PCM-Chip erstmals nicht nur einzelne Bits, sondern gleich mehrere Bits pro Speicherzelle zuverlässig und über lange Zeiträume speichern und das Drift-Problem lösen, das bis heute eine der Hauptschwierigkeiten bei der Umsetzung von Multi-Bit-PCM-Technologien darstellt. Dazu haben die Forscher iterative Schreibverfahren zur Kompensation der Variabilität der einzelnen Speicherzellen sowie Modulationscodierungs-Techniken entwickelt, welche es ermöglicht hätten, beim Auslesen «extrem tiefe Fehlerraten» zu erzielen, wie sie für den Einsatz in Unternehmen gefordert werden.
Das PCM-Forschungsprojekt, an dem übrigens seit kurzem im von IBM zusammen mit der ETH Zürich Anfang Juni neu eröffneten Binnig and Rohrer Nanotechnology Center gearbeitet wird, ist damit aber natürlich noch nicht abgeschlossen und soll weiter gehen. Die Marktreife erreichen soll PCM-Speicher wie bereits erwähnt in den kommenden fünf Jahren, also bis 2016. (mv)
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