IBM: SRAM-Speicherzelle mit zehnfacher Kapazität
Eine neuartige SRAM-Speicherzelle von IBM soll die Speicherkapazität auf dem Chip verzehnfachen.
7. Dezember 2004
Auf dem kommenden International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco will IBM eine SRAM-Speicherzelle vorstellen, die siebenmal kleiner ist als herkömmliche Speicherzellen. Möglich sei dies durch ein neuartiges Zellen-/ Schaltkreis-Design sowie neue Herstellungsprozesse. Laut IBM lassen sich über 50'000 dieser Speicherzellen auf der Fläche eines menschlichen Haares unterbringen. Durch den Einsatz der SRAM-Zelle soll die Speicherkapazität auf einem Chip verzehnfacht werden.
Auf der IEDM will Big Blue ausserdem eine Technologie vorstellen, die die Leistung von Transistoren verdreifachen soll. Strained Germanium heisst die Technik, die in Chips mit 32 Nanometer und weniger zum Einsatz kommen soll. Ausserdem soll Strained Germanium mit konventionellen Herstellungsmethoden kombiniert werden können.
Auf der IEDM will Big Blue ausserdem eine Technologie vorstellen, die die Leistung von Transistoren verdreifachen soll. Strained Germanium heisst die Technik, die in Chips mit 32 Nanometer und weniger zum Einsatz kommen soll. Ausserdem soll Strained Germanium mit konventionellen Herstellungsmethoden kombiniert werden können.
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