Samsung hat anlässlich des Samsung Foundry Forums seine Pläne für künftige Chipgenerationen
verraten. Demnach will der südkoreanische Elektronikkonzern die Strukturbreite auf 4 Nanometer reduzieren. Nach der momentanen 10-Nanometer-Generation sollen nun zuerst Chips mit 8 Nanometer Strukturbreite folgen, bevor dann die Strukturbreite Schritt für Schritt um jeweils einen Nanometer reduziert wird.
Während für die 8-Nanometer-Chips noch das bisherige Herstellungsverfahren zum Zuge kommen wird, wird Samsung für die 7-Nanometer-Generation erstmals ein Extreme-Ultraviolet-Lithografie-Verfahren einsetzen, das man gemeinsam mit ASML entwickelt hat. Zudem soll die Fertigung bis zu 5 Nanometer auf dem aktuellen FinFET-Verfahren basieren.
Die Chips mit 4 Nanometer Strukturbreite sollen schliesslich mit einer neuen Geräte-Architektur namens Multi Bridge Channel FET (MBCFET) produziert werden. Dabei handelt es sich um eine Samsung-eigene Gate-all-around-FET (GAAFET)-Technologie, die Nanosheet-Geräte nutzt, um dîe Leistungsgrenzen der bisherigen FinFET-Architektur zu umgehen.
