Flash-Speicher soll billiger werden
Neue Herstellungsverfahren ermöglichen eine höhere Speicherdichte und senken so die Produktionskosten.
7. Februar 2008
Sandisk hat eine neue Produktionstechnik für NAND-Flash-Bausteine vorgestellt. Ab April 2008 soll die Massenproduktion von Multi-Level-Cell-Chips mit drei statt wie bisher zwei Bit pro Zelle anlaufen. Der Vorteil: Die höhere Speicherdichte erlaubt es, auf einem Wafer 20 Prozent mehr Chips zu plazieren. Auf den einzelnen Chip umgerechnet, sinken so die Produktionskosten. Die "x3"-Architektur wurde in zwei Jahren Entwicklungsarbeit zur Marktreife gebracht und nutzt wie die bisherige Flash-Produktion einen 56-Nanometer-Prozess.
Zusammen mit Toshiba vermeldet Sandisk ausserdem einen weiteren Fortschritt: MLC-Flash-Chips lassen sich künftig auch mit 43 Nanometer Strukturbreite herstellen, wodurch sich die Speicherdichte im Vergleich zur 56-Nanometer-Technik verdoppelt und die Produktionskosten entsprechend weiter sinken. Die ersten 16-Gigabit-Chips im neuen Herstellungsprozess kommen im zweiten Quartal 2008 auf den Markt, später sollen aiuch 32-Gigabit-Chips folgen. (ubi)
Zusammen mit Toshiba vermeldet Sandisk ausserdem einen weiteren Fortschritt: MLC-Flash-Chips lassen sich künftig auch mit 43 Nanometer Strukturbreite herstellen, wodurch sich die Speicherdichte im Vergleich zur 56-Nanometer-Technik verdoppelt und die Produktionskosten entsprechend weiter sinken. Die ersten 16-Gigabit-Chips im neuen Herstellungsprozess kommen im zweiten Quartal 2008 auf den Markt, später sollen aiuch 32-Gigabit-Chips folgen. (ubi)
Artikel kommentieren
